critical dimension定義

critical dimension是什么意思

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Critical Dimension（CD）是指在半导体工艺中，定义芯片上最小可控制尺寸的一个参数。它通常表示为纳米级别的数值，是衡量芯片制造工艺精度和性能的关键指标之一。

VeritySEM 10 關鍵尺寸(CD) 量測

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Applied VeritySEM® 10 CD-SEM 量測系統專門用來精確量測由極紫外光（EUV） 和新興高數值孔徑（High-NA） EUV微影技術所定義的半導體元件的關鍵尺寸（critical dimension） ...

以SRM技術監測微影製程控制因子與光阻

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在進階微影度量中，散射測量臨界尺寸(Scatterometry Critical Dimension，SCD)為一種用於控制製程時常見的度量方法，具有回報諸如臨界尺寸(CD)、光阻 ...

先進製程的「321」

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以前的臨界尺度(critical dimension)與微影的解像度是直接相關的，譬如邏輯製程的閘極長度或記憶體的半金屬節距(half metal pitch)都是與當時微影製程 ...

光學微影的限制

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... 定義出可量化的標準並量測出實際的數據。微影品質可分成四大類：光阻分佈控制、疊層、下游相容性以及量產可行性。 光阻分佈控制 是線寬(CD)控制標準的超集合。對於許多 ...

臨界尺寸

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中文名稱, 臨界尺寸 ; 英文名稱, critical dimension ; 定義, 在一定的材料組成和幾何布置狀下，堆芯恰好達到臨界時的尺寸。相應的體積稱為“臨界體積(critical volume)”。

臨界尺寸量測方法最佳化之研究

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讓摩爾定律成真的關鍵： 微影技術— 影響七十億以上個未來

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R 代表光學微影的解析度極限，也就是至多可曝出多小的線寬，該線寬亦被稱為特徵或關鍵尺寸（fea- ture size or critical dimension）；λ 表示在真空中光的波長，而目前 ...

關鍵尺寸

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關鍵尺寸(Critical Dimension，簡稱CD)是指在積體電路光掩模製造及光刻工藝中為評估及控制工藝的圖形處理精度，特設計一種反映積體電路特徵線條寬度的專用線條圖形。

關鍵尺寸

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關鍵尺寸(Critical Dimension，簡稱CD)是指在集成電路光掩模製造及光刻工藝中為評估及控制工藝的圖形處理精度，特設計一種反映集成電路特徵線條寬度的專用線條圖形。